穩懋半導體股份有限公司 | 全台ATM分佈網

公司主要從事砷化鎵微波積體電路(GaAsMMIC)晶圓之代工業務，提供HBT、pHEMT微波積體電路/離散元件與後端製程的晶圓代工服務，應用於高功率基地台、低雜訊放大器(LNA）、 ...

(一)公司簡介

1.沿革與背景

穩懋半導體股份有限公司(3105.TW)成立於1999年10月，是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓製造商，自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。

2016年，公司宣布跨入光通訊市場，並自建EPI，主要提供美國、日本、加拿大客戶客製化一條龍生產服務，包括磊晶、二次磊晶及光電元件製造，材料及元件特性描述、測試服務；其中，磊晶與光電製造能力可供2、4吋的磷化銦基板使用。

2.營業項目與產品結構

公司主要從事砷化鎵微波積體電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業務，提供HBT、pHEMT微波積體電路/離散元件與後端製程的晶圓代工服務，應用於高功率基地台、低雜訊放大器(LNA）、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區域網路用功率放大器(PA)與雷達系統上。

2022年公司營收比重：砷化鎵晶圓代工97%、其他3%。

2023年Q3產品應用比重：cellular(手機行動網路)佔45-50%、Infrastructure(通訊基礎建設)佔20-25%、Wi-Fi佔10-15%，其他佔18%。

圖片來源：公司網站

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

砷化鎵電晶體製程技術分為三類：

A.異質接面雙極性電晶體(HBT)

B.應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT)

C.金屬半導體場效電晶體(MESFET)。

公司所提供是HBT和pHEMT，頻譜範圍由1GHz到100GHz，滿足低頻到高頻應用。

射頻模組中的各電路產品中，功率放大器(PA)係以HBT來設計，而微波開關器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設計。