韓媒：美光緊追＋南亞科差距縮，動搖三星記憶體一哥地位 ... | 全台ATM分佈網

2021年4月16日—去年11月，美國業者美光（Micron）搶在三星之前，率先發表全球首見的第七代3DNANDflash共176層。三星仍在生產第六代3DNANDflash，第七代預定要2021 ...

三星電子灑錢投資晶圓代工和人工智慧（AI）半導體，全力搶攻相關市場，同時對記憶體部門的投資卻相對保守。韓媒指稱，競爭對手技術躍進，動搖三星的記憶體龍頭地位。

韓媒 Pulse、BusinessKorea 報導，三星稱霸全球記憶體市場 29 年之久，但近年來市佔不斷下滑。TrendForce 數據顯示，三星 DRAM 市佔 2016 年高達 48%，2020 年降至 43.1%，去年第四季更跌至 42.1%。NAND flash 方面，三星市佔也從 2017 年 40% 以上，2020 年第四季降至 33.4%。

三星原本持續技術領先，在業界無人能敵，但是近來對手技術大幅提升，削弱了三星的領導地位。去年 11 月，美國業者美光（Micron）搶在三星之前，率先發表全球首見的第七代 3D NAND flash 共 176 層。三星仍在生產第六代 3D NAND flash，第七代預定要 2021 年下半才會問世。

不只如此，美光 DRAM 領域也快速追上三星。美光一如三星，已量產 10 奈米 DRAM，正使用極紫外光（EUV）微影機台研發次世代 DRAM 製程，目標 2021 年上半發表首款 EUV DRAM。

另外，美光打算併購 NAND flash 二哥鎧俠（Kioxia），如果兩廠順利合併，美光 NAND flash 市佔將追上三星。

不只美光，台廠南亞科也縮小和三星的技術差距。南亞科正加速研發，要用 EUV 技術生產晶片。中廠則在政府金援下迅速升級技術。

（本文由 MoneyDJ新聞[1] 授權轉載；首圖來源：三星[2]）